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申请/专利权人：南京邮电大学
摘要：本发明公开了一种基于三元反应机制的离子敏感场效应晶体管，属于集成电路技术领域，所述离子敏感场效应晶体管，包括体硅衬底、氧化埋层、沟道、源极、漏极、栅氧化介质层、栅极和绝缘层；所述氧化埋层设于体硅衬底上，所述沟道设于氧化埋层的中部；所述源极和漏极分别设于沟道的左右两侧；所述沟道的上表面低于所述源极和漏极的上表面；所述栅氧化介质层覆盖在两金属电极和沟道上；所述栅极位于所述沟道正上方的栅氧化介质层上，栅极包括在栅氧化介质层上生长的金纳米颗粒和待检测溶液；所述绝缘层覆盖在所述源极和漏极对应的栅氧化介质层上。本发明的离子敏感场效应晶体管通过栅极表面多重的反应和离子捕获形式扩充了可检测离子范围和灵敏度。
主权项：1.一种基于三元反应机制的离子敏感场效应晶体管，其特征在于，所述离子敏感场效应晶体管，包括体硅衬底1、氧化埋层2、沟道3、源极4、漏极5、栅氧化介质层6、栅极7和绝缘层8；所述氧化埋层2设于体硅衬底1上，所述沟道3设于氧化埋层2的中部；所述源极4和漏极5分别设于沟道3的左右两侧；所述沟道3的上表面低于所述源极4和漏极5的上表面；所述栅氧化介质层6覆盖在两金属电极和沟道3上；所述栅极7位于所述沟道3正上方的栅氧化介质层6上，所述栅极7包括在栅氧化介质层6上生长的金纳米颗粒和待检测溶液；所述绝缘层8覆盖在所述源极4和漏极5对应的栅氧化介质层6上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 一种基于三元反应机制的离子敏感场效应晶体管
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