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申请/专利权人：重庆邮电大学
摘要：本发明涉及一种无负阻效应的介质超结RC‑LIGBT器件，属于半导体技术领域，包括LIGBT部分和反向续流二极管区；所述LIGBT部分由普通MOS区、阳极区PNP三极管构成；所述反向续流二极管部分与LIGBT部分并联，并由二氧化硅隔离区隔开；反向续流二极管部分独立于LIGBT存在，并通过设计反向续流部分漂移区部分形成介质超结。本发明不仅消除了传统RC‑LIGBT拥有的电压折回现象，并且提高了器件的耐压性能提高了可靠性，加强了器件的反向性能。
主权项：1.一种无负阻效应的介质超结RC-LIGBT器件，其特征在于：包括LIGBT部分和反向续流二极管区；所述LIGBT部分由普通MOS区、阳极区PNP三极管构成；所述反向续流二极管部分与LIGBT部分并联，并由二氧化硅隔离区隔开；反向续流二极管部分独立于LIGBT存在，并通过设计反向续流部分漂移区部分形成介质超结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆邮电大学 一种无负阻效应的介质超结RC-LIGBT器件
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