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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供一种第零层掩模版及其光刻对准方法，所述第零层掩模版包括：基体；第一虚设直线及第二虚设直线，设于所述基体上，且正交于原点；设于所述第一虚设直线及所述第二虚设直线上的至少4组光刻标记，所述第一虚设直线及所述第二虚设直线在所述原点的每侧至少设有一组所述光刻标记。本发明中，可仅通过调整第零层掩模版与拼接区域的相对移动距离，使两者对准即可实现不同曝光区域尺寸的第零层的曝光，从而使上述第零层掩模版可通用于不同产品的第零层标记的制备，从而节省外延工艺中的掩模版的成本，此外还可减少对准及曝光次数，从而提高曝光效率。
主权项：1.一种第零层掩模版，其特征在于，包括：基体；第一虚设直线及第二虚设直线，设于所述基体上，且正交于原点；设于所述第一虚设直线及所述第二虚设直线上的至少4组光刻标记，所述第一虚设直线及所述第二虚设直线在所述原点的每侧至少设有一组所述光刻标记。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 华虹半导体(无锡)有限公司 第零层掩模版及其光刻对准方法
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