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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种HEMT外延片及其制备方法、HEMT，涉及场效应晶体管技术领域。其中，HEMT外延片包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、沟道层、插入层、势垒层和盖帽层；所述缓冲层包括依次层叠于所述衬底上的第一AlInGaN层、第一BGaN层、BN层、第二BGaN层和第二AlInGaN层；所述第一AlInGaN层的晶格常数大于所述第二AlInGaN层的晶格常数。实施本发明，可提升HEMT器件的综合性能以及可靠性。
主权项：1.一种HEMT外延片，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、沟道层、插入层、势垒层和盖帽层；其特征在于，所述缓冲层包括依次层叠于所述衬底上的第一AlInGaN层、第一BGaN层、BN层、第二BGaN层和第二AlInGaN层；所述第一AlInGaN层的晶格常数大于所述第二AlInGaN层的晶格常数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 HEMT外延片及其制备方法、HEMT
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