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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
摘要：本申请公开了一种存储单元、存储器、存储器的制备方法及电子设备，属于半导体技术领域。该存储单元包括沿平行于衬底的第一方向排布的晶体管和电容；晶体管的栅极垂直于衬底延伸，晶体管的半导体层环绕栅极的侧壁；电容的第一电极与半导体层连接，第一电极为一面开口的中空结构，电容的第二电极包括从第一电极的开口处向第一电极的中空部分延伸的结构。本申请提供了一种新型结构的1T1C存储器的设计方案，在此种设计方案中，1T1C结构的存储单元的电容的有效存储区域的面积较大，有利于提高存储器的存储容量。并且，1T1C结构的存储单元能够在衬底上三维堆叠形成1T1C存储器，有利于提高存储器的集成密度。
主权项：1.一种存储单元，其特征在于，所述存储单元100包括沿平行于衬底的第一方向排布的晶体管110和电容120；所述晶体管110的栅极111垂直于所述衬底延伸，所述晶体管110的半导体层112环绕所述栅极111的侧壁；所述电容120的第一电极121与所述半导体层112连接，所述第一电极121为一面开口的中空结构，所述电容120的第二电极122包括从所述第一电极121的开口处向所述第一电极121的中空部分延伸的结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 存储单元、存储器、存储器的制备方法及电子设备
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