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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本申请提供了一种半导体器件的缺陷表征方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：获取半导体器件的电容电压特性，并根据电容电压特性，获取半导体器件的电容频率特性以及计算半导体器件的空间电荷区的自建电势、耗尽区宽度；根据电容频率特性，获取半导体器件在不同温度下的导纳谱曲线，并根据导纳谱曲线，得到半导体器件中缺陷的缺陷激活能以及缺陷载流子的试图逃逸频率；根据导纳谱曲线、自建电势、耗尽区宽度、缺陷激活能以及试图逃逸频率，获取半导体器件的缺陷浓度的能量空间分布。本申请，使用导纳谱技术检测半导体器件吸收层中的缺陷，可以在不损失器件性能的前提下探测不同生长条件的半导体器件吸收层的缺陷分布。
主权项：1.一种半导体器件的缺陷表征方法，其特征在于，包括：获取半导体器件的电容电压特性，并根据所述电容电压特性，获取所述半导体器件的电容频率特性以及计算所述半导体器件的空间电荷区的自建电势、耗尽区宽度；根据所述电容频率特性，获取所述半导体器件在不同温度下的导纳谱曲线，并根据所述导纳谱曲线，得到所述半导体器件中缺陷的缺陷激活能以及缺陷载流子的试图逃逸频率；根据所述导纳谱曲线、所述自建电势、所述耗尽区宽度、所述缺陷激活能以及所述试图逃逸频率，获取半导体器件的缺陷浓度的能量空间分布。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种半导体器件的缺陷表征方法
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