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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种实现晶体管源极漏极外延生长自动检测的方法，方法包括：提供一形成有锗硅外延层、浅沟槽隔离结构及栅极的半导体结构；获取所述半导体结构的RGB图像，并对所述RGB图像进行灰度转换得到灰度图像；根据所述灰度图像获取所述锗硅外延层的轮廓大小，并标记轮廓大小存在异常的点位，且生成标记图像；将所述标记图像回传至处理系统以修正对应的所述锗硅外延层图像；对所述处理系统进行更新，并确认处理系统更新结果，以完成对存在异常的所述锗硅外延层的自动辨识。通过本发明解决了现有的人工操作耗时较长的问题。
主权项：1.一种实现晶体管源极漏极外延生长自动检测的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一形成有锗硅外延层、浅沟槽隔离结构及栅极的半导体结构；获取所述半导体结构的RGB图像，并对所述RGB图像进行灰度转换得到灰度图像；根据所述灰度图像获取所述锗硅外延层的轮廓大小，并标记轮廓大小存在异常的点位，且生成标记图像；将所述标记图像回传至处理系统以修正对应的所述锗硅外延层图像；对所述处理系统进行更新，并确认处理系统更新结果，以完成对存在异常的所述锗硅外延层的自动辨识。
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权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 实现晶体管源极漏极外延生长自动检测的方法
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