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申请/专利权人：宏茂微电子(上海)有限公司
摘要：本发明涉及半导体封装技术领域，具体地说是一种多芯片垂直互联的封装结构及封装方法。封装结构包括多层堆叠芯片，堆叠芯片设有焊盘，第二层堆叠芯片以上的堆叠芯片的焊盘设有漏孔，上一层的堆叠芯片的焊盘的漏孔面积包含下一层的堆叠芯片的焊盘的漏孔面积，焊盘的漏孔处开设有连通下一层焊盘的孔，孔内设有导电结构，本发明还提供一种上述的多芯片垂直互联的封装结构的封装方法，同现有技术相比，对于后通孔的堆叠结构，可以通过一孔到底的工艺实施方法，通过堆叠结构一次完成的工序替代各层单独加工的工序，大大简化了工艺流程，降低了封装成本；通过各层芯片的漏孔区域设计，实现了通过导电结构传输的信号与各层芯片均可互连的效果。
主权项：1.一种多芯片堆叠垂直互联的封装结构，其特征在于：包括多层堆叠芯片（1），堆叠芯片（1）设有焊盘（2），第二层堆叠芯片（1-2）以上的堆叠芯片（1）的焊盘（2）设有漏孔（3），上一层的堆叠芯片（1）的焊盘（2）的漏孔（3）面积包含下一层的堆叠芯片（1）的焊盘（2）的漏孔（3）面积，焊盘（2）的漏孔（3）处开设有连通下一层焊盘（2）的孔，孔内设有导电结构（4）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宏茂微电子(上海)有限公司 一种多芯片堆叠垂直互联的封装结构及封装方法
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