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申请/专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
摘要：本发明提供了一种低驱动损耗沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法，包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀、离子注入，形成电流重新分配层；外延生长漂移层；去除原阻挡层，离子注入，在漂移层内形成第一P型阱区、第二P型阱区、P型源区及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，刻蚀，干氧氧化，形成栅介质层，所述栅介质层内设有沟槽；淀积金属，形成栅极金属层及源极金属层，去除阻挡层，完成制备，降低器件驱动电压以及驱动损耗。
主权项：1.一种低驱动损耗沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；步骤2、在漂移层上形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成电流重新分配层；步骤3、去除原阻挡层，在漂移层以及电流重新分配层上外延生长漂移层；步骤4、在漂移层上进行离子注入，在漂移层内形成第一P型阱区；步骤5、在漂移层上形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，在第一P型阱区内形成第二P型阱区；步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成P型源区；步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成N型源区；步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，刻蚀漂移层、第二P型阱区以及第一P型阱区，形成凹槽，在凹槽内进行干氧氧化，形成栅介质层，所述栅介质层内设有沟槽；步骤9、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层；步骤10、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行刻蚀，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备。
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