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申请/专利权人：芯恩(青岛)集成电路有限公司
摘要：本发明提供一种高集成度RRAM存储器，直接将阻变层形成在栅氧层位置上，上极板层包括多晶硅栅极层与由金属硅化物层形成的第二接触层，或为金属栅极层，下极板层包括阱区与由金属硅化物层形成的第一接触层，去除尺寸大的选择管，提高单位面积的集成度；上极板引出层与下极板引出层同侧，能由同一掩膜层形成，高集成度RRAM存储器的工艺平台能够与逻辑工艺平台兼容，阻变存储单元与逻辑器件单元同层分布，经过一次后端金属连线工艺便能搭建，减少后端金属层次，简化工艺、减少了掩模层的使用，降低大规模生产流片成本，具有很大的发展潜力与发展前景；下极板层由阱区与第一接触层代替贵金属，进一步降低生产成本。
主权项：1.一种高集成度RRAM存储器，其特征在于，所述高集成度RRAM存储器至少包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括相对设置的第一表面与第二表面，所述半导体衬底内自所述第一表面形成有阱区；阻变层，所述阻变层位于所述阱区的上方；上极板层，所述上极板层包括栅极层，所述栅极层位于所述阻变层上方，且所述栅极层侧壁与所述阻变层侧壁平齐；下极板层，所述下极板层包括所述阱区与第一接触层，所述第一接触层位于所述栅极层一侧的所述阱区的上方；其中，所述下极板层、所述阻变层、所述上极板层形成一个阻变存储单元，不同阻变存储单元通过所述半导体衬底内间隔结构间隔开。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯恩(青岛)集成电路有限公司 一种高集成度RRAM存储器及其制备方法
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