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申请/专利权人：厦门三安光电有限公司
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括N型半导体层、发光层和P型半导体层，发光层位于N型半导体层上，P型半导体层位于发光层上，其中，P型半导体层包括三维结构层和覆盖层，三维结构层位于发光层上，覆盖层包覆三维结构层，三维结构层和覆盖层之间形成非极性面或半极性面。借此设置，可以有效提升发光二极管的空穴浓度，提升发光二极管的出光性能，进而提升发光二极管的品质。
主权项：1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：N型半导体层；发光层，位于所述N型半导体层上；P型半导体层，位于所述发光层上；其中，所述P型半导体层包括三维结构层和覆盖层，所述三维结构层位于所述发光层上，所述覆盖层包覆所述三维结构层，所述三维结构层和所述覆盖层之间形成非极性面或半极性面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门三安光电有限公司 发光二极管及发光装置
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