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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
摘要：本发明提供了一种识别晶圆缺陷的方法和系统，方法包括：获取晶圆在当前站点的缺陷数量；当缺陷数量小于或者等于阈值时，将晶圆的缺陷图像和缺陷数据库中对应于当前站点的多个缺陷图像进行对比，从而得到相似度系列；若相似度系列中存在大于或等于预设值的相似度，则检测晶圆的缺陷类型。本发明可以拦截具有良率影响大的特殊缺陷的晶圆，以避免缺陷数量小于阈值且具有特殊缺陷的晶圆被送入后续工艺工序而导致更多的良率损失，本发明可以有效识别良率影响大的特殊缺陷，显著地提升产品良率。
主权项：1.一种识别晶圆缺陷的方法，其特征在于，包括：获取晶圆在当前站点的缺陷数量；当所述缺陷数量小于或者等于阈值时，将所述晶圆的缺陷图像和缺陷数据库中对应于当前站点的多个缺陷图像进行对比，从而得到相似度系列；若所述相似度系列中存在大于或等于预设值的相似度，则检测所述晶圆的缺陷类型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 识别晶圆缺陷的方法和系统
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