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申请/专利权人：江苏仲磊芯半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种抗辐照五结太阳能电池及其制作方法，涉及太阳能电池的技术领域。本发明所述五结太阳能电池先采用倒置生长在衬底的上表面依次设置第一缓冲层、组分阶变缓冲层、第四子电池、组分阶变布拉格反射层、第四隧穿结、第五子电池、第三布拉格反射层、电极接触层；后采用正向生长在衬底的下表面依次设置第二缓冲层、第三隧穿结、第二布拉格反射层、第三子电池、第二隧穿结、第一布格拉反射层、第二子电池、第一隧穿结、第一子电池、帽子层。本发明所述五结太阳电池具有多个布拉格反射层，可减薄对应子电池厚度，提高有源区载流子寿命，从而提升辐照性能，提高电池末期使用效率。
主权项：1.一种抗辐照五结太阳能电池，其特征在于，先采用倒置生长在GaAs衬底的上表面依次设置第一缓冲层、组分阶变缓冲层、第四子电池、组分阶变布拉格反射层、第四隧穿结、第五子电池、第三布拉格反射层、电极接触层；然后采用正向生长在GaAs衬底的下表面依次设置第二缓冲层、第三隧穿结、第二布拉格反射层、第三子电池、第二隧穿结、第一布格拉反射层、第二子电池、第一隧穿结、第一子电池、帽子层；所述第一布拉格反射层、第二布拉格反射层、组分阶变布拉格反射层、第三布拉格反射层的反射波长分别为a、b、c、d，所述第一子电池、第二子电池、第三子电池、第四子电池、第五子电池的截止波长分别为A、B、C、D、E，满足：A≤a≤B≤b≤C≤c≤D，E-100≤d≤E+100；所述组分阶变布拉格反射层由10-30组p型AlxGa1-xInAsAlyGa1-yInAs反射层组成，x取值为0-0.2，y取值为0.5-0.9；其中至少两组反射层形成过冲反射层，所述过冲反射层的晶格常数大于第五子电池的晶格常数，第四子电池至过冲反射层之间的反射层晶格常数逐渐增大，过冲反射层至第五子电池之间的反射层晶格常数逐渐减小。
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权利要求：
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