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申请/专利权人：天合光能股份有限公司
摘要：本申请提供了一种光伏电池的制备方法，包括如下步骤：在硅衬底的第一表面形成交替的第一掺杂区和第二掺杂区，其中，第一掺杂区包括第一钝化层和第一掺杂层，第二掺杂区包括第二钝化层和与第一掺杂层掺杂类型相反的第二掺杂层；在第二掺杂区中形成隔离区，隔离区位于第二掺杂区中与第一掺杂区邻接的位置，且隔离区包括自第一表面深入硅衬底中的凹槽，凹槽沿垂直于硅衬底的第一方向上的深度为1.3微米~1.7微米。本申请的光伏电池的制备方法及光伏电池，可以有效控制光伏电池隔离槽深度，提升电池可靠性。
主权项：1.一种光伏电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在硅衬底的第一表面形成交替的第一掺杂区和第二掺杂区，其中，所述第一掺杂区包括第一钝化层和第一掺杂层，所述第二掺杂区包括第二钝化层和与所述第一掺杂层掺杂类型相反的第二掺杂层；在所述第二掺杂区中形成隔离区，所述隔离区位于所述第二掺杂区中与所述第一掺杂区邻接的位置，且所述隔离区包括自所述第一表面深入所述硅衬底中的凹槽，所述凹槽沿垂直于所述硅衬底的第一方向上的深度为1.3微米~1.7微米。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天合光能股份有限公司 光伏电池的制备方法及光伏电池
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