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源极随耦器及CMOS图像传感器 

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申请/专利权人:上海华力微电子有限公司

摘要:本发明公开了一种源极随耦器及CMOS图像传感器,属于微电子制造技术领域,该源极随耦器,包括间隔布置的第一像素单元和第二像素单元,在所述第一像素单元和第二像素单元的邻接处布置有源极随耦器,所述源极随耦器包括第一部分和第二部分,所述第一部分位于所述第一像素单元或第二像素单元与所述邻接处相邻的一侧,所述第二部分位于所述第一像素单元和第二像素单元之间,且所述第一部分和所述第二部分之间通过连接段相连。通过将源极随耦器部分延伸至像素单元之间的间隙处,进而增大源极随耦器的宽长比,提升Gm,增加读写速度,降低暗时间噪音,从而提高小尺寸图像传感器的成像质量。

主权项:1.一种源极随耦器,其特征在于,包括间隔布置的第一像素单元和第二像素单元,在所述第一像素单元和第二像素单元的邻接处布置有源极随耦器,所述源极随耦器包括第一部分和第二部分,所述第一部分位于所述第一像素单元或第二像素单元与所述邻接处相邻的一侧,所述第二部分位于所述第一像素单元和第二像素单元之间,且所述第一部分和所述第二部分之间通过连接段相连。

全文数据:

权利要求:

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