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申请/专利权人：北京飓芯科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种量子阱结构及其生长方法。本发明通过在结晶恢复层中设置第一结晶恢复层来恢复由于下波导生长带来的结晶质量差和界面平整度差的问题，设置第一氮空位捕获层来捕获第一结晶恢复层产生的大量氮空位，设置第二结晶恢复层来恢复第一氮空位捕获层生长后的晶体质量和界面，设置第二氮空位捕获层来捕获氮空位，进一步减少氮空位，设置第三结晶恢复层恢复第二氮空位捕获层生长后的晶体质量和界面。其中结晶恢复层的温度渐变降低，这样可以在提高结晶质量和界面平整度的同时降低氮空位数量，有效的减少氮空位向量子阱内扩散，进而减少非辐射复合中心，进而提高有源层内量子阱发光效率。
主权项：1.一种量子阱结构，其特征在于：自下而上依次包括下波导层4、结晶恢复层5、多量子阱发光层6；所述结晶恢复层5包括第一结晶恢复层51、第一氮空位捕获层52、第二结晶恢复层53、第二氮空位捕获层54和第三结晶恢复层55；第一结晶恢复层51的生长温度大于第二结晶恢复层53的生长温度，第二结晶恢复层53的生长温度大于第三结晶恢复层55的生长温度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京飓芯科技有限公司 一种量子阱结构及其生长方法
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