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申请/专利权人:丰田合成株式会社
摘要:本发明提供一种抑制发光效率的降低的发光元件。由III族氮化物半导体构成,具有:基板;设置在基板上且由n型的III族氮化物半导体构成的n层;设置在n层上且具有规定发光波长的第1活性层;设置在第1活性层上且由包含In的III族氮化物半导体构成的中间层;设置在中间层上且发光波长与第1活性层不同的第2活性层;设置在第2活性层上且由p型的III族氮化物半导体构成的第1电子阻挡层;从第1电子阻挡层侧到达中间层的深度的凹槽;设置在第1电子阻挡层上且由p型的III族氮化物半导体构成的第1p层;设置在槽底面露出的中间层上且由p型的III族氮化物半导体构成的第2p层;第1p层和第2p层包括第2电子阻挡层和设置在第2电子阻挡层上的第1接触层。
主权项:1.一种发光元件,是由III族氮化物半导体构成的发光元件,具有:基板,n层,设置在所述基板上且由n型的III族氮化物半导体构成,第1活性层,设置在所述n层上且具有规定的发光波长,中间层,设置在所述第1活性层上且由包含In的III族氮化物半导体构成,第2活性层,设置在所述中间层上且发光波长与所述第1活性层不同,第1电子阻挡层,设置在所述第2活性层上且由p型的III族氮化物半导体构成,凹槽,具有从所述第1电子阻挡层侧到达所述中间层的深度,第1p层,设置在所述第1电子阻挡层上且由p型的III族氮化物半导体构成,第2p层,设置在露出于所述凹槽的底面的所述中间层上且由p型的III族氮化物半导体构成;并且,所述第1p层和所述第2p层包括第2电子阻挡层和设置在所述第2电子阻挡层上的第1接触层。
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权利要求:
百度查询: 丰田合成株式会社 发光元件及其制造方法
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