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申请/专利权人：润新微电子(大连)有限公司
摘要：本发明公开了一种耗尽型GaN器件及其制备方法，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、独立电极及由下至上依次设置的衬底、叠层结构和介电层，源电极、漏电极和独立电极均位于叠层结构和介电层中，叠层结构包括由下至上依次设置的成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和盖帽层；源电极的下方设有电性隔离区，电性隔离区内的二维电子气与其外部的二维电子气电性隔开，电性隔离区的一端与独立电极连接；独立电极还与栅电极连接。本发明的耗尽型GaN器件，其源电极与栅电极之间具有二极管特性，形成级联器件后，能够有效钳制瞬态与稳态下的源电极与栅电极之间的电压差，使整个级联型器件的电压匹配。
主权项：1.一种耗尽型GaN器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在叠层结构的盖帽层上，进行图形化处理，并注入离子材料，形成电性隔离区；在所述盖帽层上制备源电极、漏电极和独立电极；在所述源电极和漏电极的上方进行沉积形成介电层，并刻蚀出栅电极孔、源电极开窗口和漏电极开窗口；在所述介电层上填充金属并刻蚀掉多余金属，形成栅电极；得到所述耗尽型GaN器件；所述独立电极与所述栅电极连接；所述电性隔离区位于所述源电极的下方，所述电性隔离区的一端与所述独立电极连接；所述源电极在所述叠层结构的衬底上的正投影至少部分覆盖所述电性隔离区在所述衬底上的正投影。
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权利要求：
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