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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本申请提供一种碳化硅晶体管结构及其制备方法。本申请通过厚薄栅工艺可以制备不同开启电压的MOSFET器件；通过在常规MOSFET中并联集成薄栅氧化层做成的栅源短接的小型MOSFET，使得开启电压导通压降降低，从而当MOSFET器件的源极端加正电压时，小型MOSFET的栅极端比体二极管提前达到开启电压，从而达到降低导通压降从而降低体二极管续流的功耗的目的。进一步通过将薄栅的小型MOSFET集成到常规MOSFET的P阱的P+的位置，使得小型MOSFET占比尽量小的面积，可以用在不改变当前元胞尺寸的条件下，实现降低VFSD的功能，同时实现对导通电阻更小的影响。
主权项：1.一种碳化硅晶体管结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：形成一碳化硅衬底，所述碳化硅衬底内形成有第一阱区、第二阱区、第一JFET区以及第二JFET区，所述第一阱区环绕所述第二阱区，在第一方向上相邻两所述第一JFET区之间界定出所述第一阱区，在第二方向上相邻两所述第二JFET区之间界定出所述第二阱区、且所述第一阱区与所述第二阱区之间通过所述第二JFET区分隔开，其中，所述第一方向与所述碳化硅衬底的顶面平行，所述第二方向与所述碳化硅衬底的顶面平行并与所述第一方向具有一夹角；于所述碳化硅衬底上形成栅氧化层，所述栅氧化层包括第一子栅氧化层与第二子栅氧化层，所述第一子栅氧化层至少覆盖所述第一JFET区，所述第二子栅氧化层至少覆盖所述第二JFET区，其中，所述第二子栅氧化层的膜层厚度小于所述第一子栅氧化层的膜层厚度；于所述栅氧化层上形成栅极，所述栅极包括第一子栅极与第二子栅极，所述第一子栅极形成于所述第一子栅氧化层上，所述第二子栅极形成于所述第二子栅氧化层上；形成完全包覆所述第一子栅极的栅介质层；以及形成覆盖所述栅介质层、并与所述第二子栅极相接触的源极。
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