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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本公开实施例提供了一种半导体结构版图、半导体结构及其制造方法。该半导体结构版图包括：第一版图。第一版图包括：多个第一沟槽图形和多个第二沟槽图形。第一沟槽图形沿第一方向延伸，用于形成第一沟槽。第二沟槽图形在第二方向上的尺寸大于第一沟槽图形在第二方向上的尺寸，第二方向与第一方向相交。第二沟槽图形包括：在第二方向上间隔设置的至少两个第一子沟槽图形。第一子沟槽图形在第二方向上的尺寸小于或等于第一沟槽图形在第二方向上的尺寸。同一个第二沟槽图形中的各第一子沟槽图形共同用于形成第二沟槽。本公开用于降低在器件沟槽内形成接触孔的工艺对准难度，同时避免降低器件击穿电压，从而提升器件可靠性。
主权项：1.一种半导体结构版图，其特征在于，包括：第一版图；所述第一版图包括：多个第一沟槽图形；所述第一沟槽图形沿第一方向延伸，用于形成第一沟槽；多个第二沟槽图形；所述第二沟槽图形在第二方向上的尺寸大于所述第一沟槽图形在所述第二方向上的尺寸，所述第二方向与所述第一方向相交；所述第二沟槽图形包括：在所述第二方向上间隔设置的至少两个第一子沟槽图形；所述第一子沟槽图形在所述第二方向上的尺寸小于或等于所述第一沟槽图形在所述第二方向上的尺寸；其中，同一个所述第二沟槽图形中的各所述第一子沟槽图形共同用于形成第二沟槽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体结构版图、半导体结构及其制造方法
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