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申请/专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
摘要：本申请公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，属于半导体技术领域。该半导体器件包括碳化硅衬底和漂移层，阱区、JFET区和第一区域，栅极、源极和漏极，其中，JFET区包括靠近碳化硅衬底的第一部分，及远离碳化硅衬底的第二部分，第一部分在碳化硅衬底上的正投影的面积，小于第二部分在碳化硅衬底上的正投影的面积。本申请的技术方案旨在提高半导体器件载流子浓度的同时，减小反向电流的路径，从而提高半导体的安全性和可靠性。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：碳化硅衬底，包括相对的第一表面和第二表面；漂移层，设置于所述第一表面；阱区、JFET区和第一区域，设置于所述漂移层的远离所述碳化硅衬底的一侧；栅极，设置于所述阱区和所述JFET区的远离所述碳化硅衬底的一侧；源极，设置于所述栅极的远离所述碳化硅衬底的一侧，且与所述第一区域电连接；漏极，设置于所述第二表面；其中，所述JFET区包括靠近所述碳化硅衬底的第一部分，及远离所述碳化硅衬底的第二部分，所述第一部分在所述碳化硅衬底上的正投影的面积，小于所述第二部分在所述碳化硅衬底上的正投影的面积。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽长飞先进半导体有限公司 半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
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