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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
摘要：本申请提供了一种增益DRAM存储单元结构及其制造方法。本申请的增益DRAM存储单元结构包括一个写晶体管和一个读晶体管，所述写晶体管的沟道区包含F离子，而所述读晶体管的沟道区包含N离子，写晶体管的栅极绝缘层的厚度大于读晶体管的栅极绝缘层的厚度。本申请的增益DRAM存储单元结构通过高阈值电压的写晶体管和低阈值电压的读晶体管不仅能够减小器件漏电且维持高保持时间，同时还能够加快单元读出速度。
主权项：1.一种增益DRAM存储单元结构，其特征在于，包括一个写晶体管和一个读晶体管，所述写晶体管的沟道区包含F离子，而所述读晶体管的沟道区包含N离子。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 增益DRAM存储单元结构及其制造方法、电子设备
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