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申请/专利权人：上海复旦微电子集团股份有限公司
摘要：本发明公开一种非挥发存储器阵列及其驱动电路、擦除方法，该存储器阵列包括：多组存储单元阵列，每组存储单元阵列包括多个存储单元，同一组内的所述多个存储单元连接同一字线、并连接不同位线，所有存储单元连接同一源线；至少两组存储单元阵列共用同一深N阱和同一P阱。本发明方案可以缩小存储器阵列面积，并保证对存储单元擦写的可靠性和性能。
主权项：1.一种非挥发存储器阵列，其特征在于，所述存储器阵列包括：多组存储单元阵列，每组存储单元阵列包括多个存储单元，同一组内的所述多个存储单元连接同一字线、并连接不同位线，所有存储单元连接同一源线；至少两组存储单元阵列共用同一深N阱和同一P阱。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海复旦微电子集团股份有限公司 非挥发性存储器阵列及其驱动电路、擦除方法、芯片
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