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申请/专利权人：纳维达斯半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种用于高侧负载开关的驱动电路。该电路包括：开关，该开关具有栅极端子、源极端子和漏极端子；开关驱动电路，该开关驱动电路连接到该栅极端子并且被布置为控制该开关的导通状态和关断状态，该开关驱动电路包括：信号转换电路，该信号转换电路被布置为接收控制信号并且作为响应生成高侧信号；信号缓冲电路，该信号缓冲电路被耦接到该信号转换电路，并且被布置为接收该高侧信号并且作为响应生成缓冲信号；和驱动电路，该驱动电路被耦接到该信号缓冲电路，并且被布置为接该收缓冲信号并且作为响应生成使得该开关在该导通状态和该关断状态之间转变的栅极驱动信号。一方面，该开关是具有栅极、源极和漏极的NMOS晶体管，其中该源极和该漏极处于基本高压。
主权项：1.一种电路，所述电路包括：开关，所述开关具有栅极端子、源极端子和漏极端子；开关驱动电路，所述开关驱动电路连接到所述栅极端子并且被布置为控制所述开关的导通状态和关断状态，所述开关驱动电路包括：信号转换电路，所述信号转换电路被布置为接收控制信号并且作为响应生成高侧信号；信号缓冲电路，所述信号缓冲电路被耦接到所述信号转换电路，并且被布置为接收所述高侧信号并且作为响应生成缓冲信号；和驱动电路，所述驱动电路被耦接到所述信号缓冲电路，并且被布置为接收所述缓冲信号并且作为响应生成使得所述开关在所述导通状态和所述关断状态之间转变的栅极驱动信号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 纳维达斯半导体有限公司 用于高侧负载开关的驱动电路
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