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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了图像传感器。所述图像传感器包括：第一导电类型的半导体基底，所述半导体基底包括：第一表面、与第一表面背对的第二表面、像素区域、以及像素隔离结构；以及光电转换区域，在像素区域中，光电转换区域具有第二导电类型的杂质，其中，像素隔离结构被配置为包围光电转换区域，并且其中，像素隔离结构包括：气隙，衬垫绝缘图案，在气隙与所述半导体基底之间，以及覆盖图案，与所述半导体基底的第二表面邻近。
主权项：1.一种图像传感器，包括：第一导电类型的半导体基底，所述半导体基底包括：第一表面、与第一表面背对的第二表面以及像素区域；光电转换区域，在像素区域中，光电转换区域具有第二导电类型的杂质；以及像素隔离结构，在所述半导体基底中，并且被配置为包围光电转换区域，其中，像素隔离结构包括：气隙，衬垫绝缘图案，在气隙与所述半导体基底之间，以及覆盖图案，与所述半导体基底的第二表面邻近。
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