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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：本文公开了一种用于确定用于在处理腔室中的基板上形成高深宽比特征和或低开放区域1％的蚀刻操作的终点的方法。方法以获得参考发射曲线开始。在图案化基板上执行蚀刻操作。针对蚀刻循环中的每一者测量等离子体光发射强度。计算参考发射与等离子体光发射之间的差异曲线。并且基于拐点检测或通过差异曲线中的图案识别的其他独特特征来确定第一基板上的蚀刻操作的终点，以停止第一基板的蚀刻。
主权项：1.一种检测半导体基板的蚀刻操作的终点的方法，所述方法包括：获得参考发射；在图案化基板上执行蚀刻操作；在所述蚀刻操作期间测量等离子体光发射强度；计算所述参考发射与所述等离子体光发射之间的差异曲线；以及基于所述差异曲线中的图案的检测来确定所述图案化基板上的所述蚀刻操作的终点，以基于所述图案来停止所述图案化基板的所述蚀刻操作。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 在低开放区域和/或高深宽比蚀刻应用中的终点检测
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