买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：长鑫存储技术(上海)有限公司

摘要：本申请实施例至少提供一种写操作电路，包括：串并转换电路，用于对DBI端口的第一DBI数据进行串并转换，以生成供DBI信号线传输的第二DBI数据，以及根据第二DBI数据和DQ端口的输入数据，生成数据缓冲模块的输入数据；数据缓冲模块，用于根据数据缓冲模块的输入数据，确定是否翻转全局总线；DBI解码模块，用于根据第二DBI数据，对全局总线数据进行解码，并将解码后的数据写入存储块，解码包括确定是否翻转全局总线数据；预充电模块，连接于预充电信号线，用于将全局总线的初始态设置为低。本申请实施例的技术方案可以实现在Precharge下拉架构下，减少全局总线的翻转次数，从而大幅压缩电流，降低功耗。

主权项：1.一种写操作电路，应用于半导体存储器，其特征在于，所述半导体存储器包括DQ端口、DBI端口和存储块，所述写操作电路包括：串并转换电路，连接于所述DBI端口和所述DQ端口，用于对所述DBI端口的第一DBI数据进行串并转换，以生成供DBI信号线传输的第二DBI数据，以及根据所述第二DBI数据和所述DQ端口的输入数据，生成数据缓冲模块的输入数据；其中，在外部数据中为高的数据的位数大于预设值的情况下，所述第一DBI数据被置为高，所述DQ端口的输入数据为所述外部数据的翻转数据；在所述外部数据中为高的数据的位数小于等于所述预设值的情况下，所述第一DBI数据被置为低，所述DQ端口的输入数据为所述外部数据；所述数据缓冲模块的输入数据为所述DQ端口的输入数据的反相数据；数据缓冲模块，包括多个PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的栅极连接于所述串并转换电路，以接收所述数据缓冲模块的输入数据，所述PMOS晶体管的漏极连接于全局总线，所述数据缓冲模块用于根据所述数据缓冲模块的输入数据，确定是否翻转所述全局总线；DBI解码模块，连接于所述存储块，所述DBI解码模块接收所述全局总线上的全局总线数据，并通过所述DBI信号线接收所述第二DBI数据，并用于根据所述第二DBI数据，对所述全局总线数据进行解码，并将解码后的数据写入所述存储块，所述解码包括确定是否翻转所述全局总线数据；预充电模块，连接于预充电信号线，用于将所述全局总线的初始态设置为低。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术(上海)有限公司 写操作电路、半导体存储器和写操作方法