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申请/专利权人：东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司
摘要：本发明涉及集成电路光刻技术领域，尤其涉及一种光源、偏振及掩模联合优化方法及电子设备。一种光源、偏振及掩模联合优化方法包括如下步骤：S1、输入掩模的设计版图；S2、在所述掩模的设计版图上设置多个误差监测点；S3、设定优化变量为x，所述优化变量x包括光源强度变量、偏振角度变量以及掩模变量；S4、基于Hopkins‑Abbe混合光刻成像模型关联误差监测点获得关于优化变量x的目标函数cost；及S5、优化目标函数cost直至其收敛，以获得优化后的掩模、光源及偏振，基于Hopkins‑Abbe混合光刻成像模型对光源强度变量、偏振角度变量以及掩模变量进行优化，使得能获得较好的工艺制造窗口。
主权项：1.一种光源、偏振及掩模联合优化方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、输入掩模的设计版图，所述设计版图上至少包括一个主图形；S2、在所述掩模的设计版图上设置多个误差监测点；S3、设定优化变量为x，所述优化变量x包括光源强度变量、偏振角度变量以及掩模变量；S4、基于Hopkins-Abbe混合光刻成像模型关联误差监测点获得关于优化变量x的目标函数cost，具体的：设定多个曝光条件，定义所述目标函数cost如下： 其中下标c为曝光条件序号，wc为第c个曝光条件的比重，为第c个曝光条件下如下式所定义的cost分量，其表示如下： 其中下标d为误差监测点序号，EPEd为显影图像在第d个监测点处的边缘放置误差，EPEd在一阶近似下可由下式得到： 其中RId为第d个误差监测点处显影图像值，RI′d为其斜率，可由RId求导获得，其中RId为关于光源强度、偏振角度以及掩模的函数；及S5、优化目标函数cost直至其收敛，以获得优化后的掩模、光源及偏振。
全文数据：
权利要求：
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