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申请/专利权人：上海金脉电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种SiCMOSFET器件结温的测量方法、装置、设备和介质，其中，该方法包括：获取SiCMOSFET的漏‑源极之间的电流，记为第一电流；当所述第一电流为电流预设值时，获取SiCMOSFET的栅‑源极之间的电压，记为第一电压；根据第一关系曲线确定所述SiCMOSFET在所述第一电压下对应的结温值，其中，所述第一关系曲线为所述结温值与所述阈值电压之间的关系曲线。从而，可以实现精确的测量SiCMOSFET器件的结温，提高功率半导体器件的可靠性和经济性。
主权项：1.一种SiCMOSFET器件结温的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：获取SiCMOSFET的漏-源极之间的电流，记为第一电流；当所述第一电流为电流预设值时，获取所述SiCMOSFET的栅-源极之间的电压，记为第一电压；根据第一关系曲线确定所述SiCMOSFET在所述第一电压下对应的结温值，其中，所述第一关系曲线为所述结温值与阈值电压之间的关系曲线；在根据第一关系曲线确定所述SiCMOSFET在所述第一电压下对应的结温值之前还包括：当SiCMOSFET的栅-源极之间的电压为0V时，开始计时；并当时长为预设时长时获取所述SiCMOSFET的栅极电荷量；根据第二关系曲线确定与所述栅极电荷量对应的所述SiCMOSFET的栅-源极之间的电压，记为第三电压，所述第二关系曲线为所述栅极电荷量与所述第三电压的关系曲线；获取所述第三电压与所述第一电压之间的差值；当所述差值在预设阈值范围内时，根据所述第一关系曲线确定所述SiCMOSFET在所述第一电压下对应的结温值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海金脉电子科技有限公司 一种SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、设备和介质
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