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申请/专利权人：南通南平电子科技有限公司

摘要：本发明涉及导针测量技术领域，具体为圆角品车载电容导针质检方法及系统，包括以下步骤：初始化激光干涉仪，对导针圆角区域进行光波反射率连续扫描，采集反射波形并记录干涉模式的变化，检测微小几何形变，根据数据调整电容探测器的频率设置，执行重复区域扫描，获取反射光波干涉模式数据和多频电容测量数据。本发明中，实现导针圆角区域的光波反射率连续扫描和多频电容测量数据的收集，提升对微小几何形变的识别能力，调整电容探测器的频率并执行重复区域扫描，提高检测的准确性和可靠性，运用多元回归分析，方便电容测量数据与圆角几何特性之间的统计关联，同时深入分析电容值与圆角几何缺陷的关联性，增强产品的一致性和可靠性。

主权项：1.圆角品车载电容导针质检方法，其特征在于，包括以下步骤：初始化激光干涉仪，对导针圆角区域进行光波反射率连续扫描，采集反射波形并记录干涉模式的变化，检测微小几何形变，根据数据调整电容探测器的频率设置，执行重复区域扫描，获取反射光波干涉模式数据和多频电容测量数据；根据所述反射光波干涉模式数据和多频电容测量数据，进行数据合并，并将两组数据进行时间序列对齐，去除环境噪声和非相关频率干扰，通过模式数据和测量数据无偏差整合，生成校准对齐数据集；基于所述校准对齐数据集，运用多元回归分析方法，将电容测量数据与圆角几何特性建立统计关联，通过方差分析确定差异批次导针的圆角质量差异，得到回归分析结果；根据所述回归分析结果，对电容值与圆角几何缺陷之间的相关性进行深度分析，识别导针圆角的微小变形或不规则性，进行导针圆角缺陷的实时检测和标识，得到导针质检记录；所述反射光波干涉模式数据的获取步骤具体为：初始化激光干涉仪，并对导针圆角区域进行光波反射率连续扫描，通过激光干涉仪发射的激光波对导针表面的差异点进行反射率测量，采集每一点的反射率数据，存储为反射率数据集R＝{ri}，其中ri表示第i点的反射率；记录干涉模式变化，通过比较连续扫描中的反射数据的变化，计算每一点与其邻近点之间的反射率差异，分析干涉模式的微小变化，干涉模式变化数据公式为Di＝ri-ri-1，其中Di表示第i点的干涉模式差异；执行重复区域扫描细化干涉模式数据，整合初次与重复扫描结果，通过平均干涉模式差异确定干涉模式稳定性，计算反射光波干涉模式数据G，表达为复合多项式其中ai、bi为调整参数，c为常数项，每个参数项Di代表每个测量点的干涉模式差异，ri为对应点的反射率数据；所述多频电容测量数据的获取步骤具体为：根据所述反射光波干涉模式数据，调整电容探测器的频率设置，设定电容探测器的工作频率f，频率的设定依据为反射光波干涉模式数据G的变化趋势，频率调整公式为其中f0是基础频率，k是调整系数，是干涉模式数据的平均值；执行多频扫描，通过改变电容探测器的频率，连续测量差异频率下的电容值，收集电容值C的数据；分析所述电容值变化，通过比较差异频率下电容值的变化，确定微小几何形变的指标，多频电容测量数据公式为其中wi为权重参数，为每个频率下电容值的平均值，v为变化系数，ΔCi代表连续频率下电容值的变化；所述回归分析结果的获取步骤具体为：收集并预处理所有批次的电容测量数据和圆角几何特性数据，确保数据质量和一致性，将数据结合起来形成一个综合数据集，包括电容值和圆角尺寸作为特征变量；应用数据滤波技术，剔除超出正常制造规格的异常数据，并对数据进行标准化处理，使用公式和进行处理，确保差异批次间数据的可比性，其中C是原始电容测量值，μ和σ分别是对应批次数据的均值和标准差，R是原始圆角尺寸，和σR分别为对应批次圆角半径的平均值和标准差，α和β是调整系数，优化数据分布和增强分析的敏感度；进行方差分析确定差异批次之间的圆角质量差异，使用公式评估差异显著性，批次方差i是第i批次的圆角尺寸的方差，总方差是所有批次圆角尺寸的方差，γ和δ为调整参数，用以增强模型对微小差异的敏感性，设定差异显著性的阈值为Si＞T，其中T为预定的质量差异接受阈值，并标记出质量显著差异的批次；应用多元回归分析，构建模型分析电容测量数据和圆角几何特性与产品质量之间的关系，使用回归系数计算公式并输出回归分析结果，其中Xk代表第k个独立变量，Y是因变量，λ和ξ是调整参数；所述导针质检记录的获取步骤具体为：收集导针圆角的几何缺陷数据，包括测量导针的每个圆角的直径、曲率以及表面粗糙度，形成几何特征数据集，利用电容表测定每个导针圆角的电容值Cmeasured，并与几何特征数据集进行匹配，得到包括几何特征与对应电容值的综合数据集；应用公式计算每个导针的电容值，其中，A是导针圆角的表面积，d是导针圆角的平均直径，K是圆角曲率，α和β是通过数据分析得出的调整参数，基于电容值进行初始的圆角质量评估，得到初步质检记录；利用相机对每个导针圆角进行实时图像捕捉，通过图像处理算法识别圆角的微小变形或不规则性，记录检测到的每个缺陷类型及其严重程度；对每个导针的质检记录进行综合分析，按照公式： 其中Q是综合质量得分，Cmeasured是实际测量的电容值，Cexpected是根据圆角理想几何特性预期的电容值，γ和δ是权重参数，Idefect,i是第i个检测到的缺陷的严重程度指标，n是检测到的缺陷数量；通过比较电容测量结果和图像分析结果，确认圆角的质量状况，若图像分析与电容测定数据之间存在显著偏差，对应导针被标识为缺陷存在，整理结果生成导针质检记录。

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