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申请/专利权人：德州仪器公司
摘要：在半导体晶片上制造厚氧化物特征的方法400包含形成405具有至少六微米厚度的氧化物层且在所述氧化物层上沉积410光致抗蚀剂层。所述氧化物层在给定蚀刻剂的情况下具有第一蚀刻速率X，所述光致抗蚀剂层在所述给定蚀刻剂的情况下具有第二蚀刻速率Y，其中X:Y的比率小于4:1。在蚀刻所述光致抗蚀剂层和所述氧化物层之前，用灰度掩模图案化415所述光致抗蚀剂层，所述灰度掩模产生具有与水平线形成小于或等于10度的角度a的侧壁的光致抗蚀剂层。
主权项：1.一种制造集成电路的方法，其包括：在蚀刻停止层和上部金属板之间形成氧化物层，所述氧化物层具有至少六微米厚度，所述氧化物层在给定蚀刻剂的情况下具有第一蚀刻速率X；在所述氧化物层上沉积光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层在所述给定蚀刻剂的情况下具有第二蚀刻速率Y，其中X:Y的比率小于4:1；在蚀刻所述光致抗蚀剂层和所述氧化物层之前，用灰度掩模图案化所述光致抗蚀剂层，借此所述灰度掩模产生具有相对于衬底表面形成小于或等于10度的角度的侧壁的倾斜的光致抗蚀剂层；且使用具有多个定时蚀刻段的蚀刻工艺来蚀刻所述光致抗蚀剂层和所述氧化物层，每一蚀刻段移除所述氧化物层的一部分且通过暂停与后续蚀刻段相分离，在所述暂停期间停止所述蚀刻工艺。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 德州仪器公司 在半导体晶片上制造厚氧化物特征的方法
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