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申请/专利权人：美国陶氏有机硅公司
摘要：公开了一种用于从卤化硅化合物诸如氯硅烷单体和或氯化聚硅烷中去除金属杂质的方法。该方法涉及用叔胺处理卤化硅化合物，并且随后用合适等级的活性炭处理。
主权项：1.一种用于纯化流体硅化合物的方法，所述方法包括：1将如下物质混合99.5重量％至99.75重量％的混合物，所述混合物包含i流体硅化合物，所述流体硅化合物包含卤代硅烷单体，和ii杂质，所述杂质包含选自由铝、钛、铝化合物、钛化合物或它们中的任何两种或更多种的组合组成组的金属，其中基于所述混合物的重量，所述杂质以足以提供至少500ppm的所述金属的量存在，和0.25重量％至0.5重量％的叔胺，所述叔胺在环境条件下为液体；从而形成包含i所述流体硅化合物和iii胺-金属络合物的产物；以及2将如下物质混合92重量％至98重量％的在步骤1中形成的所述产物；和2重量％至8重量％的活性炭；从而用所述活性炭吸附所述胺-金属络合物并且制备纯化的流体硅化合物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美国陶氏有机硅公司 用于纯化硅化合物的方法
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