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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。在一个例示的实施方式的等离子体处理方法中，包括在第一期间中在腔室内执行第一等离子体处理的步骤和在第二期间中在腔室内执行第二等离子体处理的步骤的处理顺序被多次进行，在第二期间内第一高频功率被供给到基片支承台的下部电极，在第一期间内停止对下部电极供给第一高频功率，在第二期间内的第一高频功率的各周期内作为脉冲状的高频功率供给等离子体生成用的第二高频功率，第二高频功率具有比第一高频功率的频率高的频率。本发明能够设定蚀刻中使用的离子的能量。
主权项：1.一种等离子体处理方法，其特征在于：所述等离子体处理方法使用具有第一频率的第一高频功率和具有比所述第一频率高的第二频率的第二高频功率，对腔室中配置于基片支承台上的基片进行处理，所述基片支承台包含下部电极，所述等离子体处理方法包括：步骤a，在第一期间中执行第一等离子体处理，其中，所述第一等离子体处理包含不供给所述第一高频功率而连续地或脉冲状地供给所述第二高频功率的处理；步骤b，在所述第一期间之后的或接着该第一期间的第二期间中，执行第二等离子体处理，其中，所述第二期间具有多个周期，该多个周期中的每个周期包含第一电压输出期间和不同于所述第一电压输出期间的第二电压输出期间；和步骤c，反复执行所述步骤a和所述步骤b，所述第二等离子体处理包括：在所述多个周期的每个周期中对所述下部电极供给所述第一高频功率的处理；在所述第一电压输出期间供给所述第二高频功率的处理；和在整个所述第二电压输出期间停止供给所述第二高频功率的处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体处理方法和等离子体处理装置
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