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申请/专利权人：同辉电子科技股份有限公司
摘要：本发明涉及功率半导体封装技术领域，涉及一种P型SiC欧姆接触电极的制作方法，该方法的步骤依次包括；使用RCA清洗法清洗SiC衬底；使用干氧氧化法，使SiC衬底表面形成SiO2绝缘层；使用光刻工艺对SiO2绝缘层进行蚀刻，制作出掺杂窗口；形成P型掺杂SiC外延层；对SiC衬底进行等离子处理；在SiC衬底上依次沉积金属Ti、Co、Al；SiC衬底进行退火处理，形成欧姆接触电极；蚀刻掉未参与反应的金属以及欧姆接触电极表面的富铝层；在欧姆接触电极表面沉积金属Au，该制作方法可在较低的温度下实现P型SiC欧姆接触电极，同时可形成平整的、耐氧化的电极表面。
主权项：1.一种P型SiC欧姆接触电极的制作方法，其特征在于，所述的制作方法包括以下步骤：A.使用RCA清洗法清洗SiC衬底；B.使用干氧氧化法，使清洗后的SiC衬底表面形成SiO2绝缘层；C.使用光刻工艺对SiO2绝缘层进行蚀刻，制作出掺杂窗口；D.通过550-600℃Al离子注入的方法在掺杂窗口形成P型掺杂SiC外延层；E.在180-220℃的温度环境下，激发氢气与氮气的混合气体，对带有P型掺杂SiC外延层的SiC衬底进行等离子处理；F.在真空环境下，在等离子处理后的SiC衬底上依次沉积金属Ti、Co、Al；G．在真空环境下，对沉积金属后的SiC衬底进行退火处理，形成欧姆接触电极；H．将带有欧姆接触电极的SiC衬底放入蚀刻溶液蚀刻1-3min，蚀刻掉未参与反应的金属以及欧姆接触电极表面的富铝层；I．在真空环境下，在经过蚀刻后的欧姆接触电极表面沉积金属Au。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 同辉电子科技股份有限公司 一种P型SiC欧姆接触电极的制作方法
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