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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：本公开内容的实施方式提供了用于在基板上制造磁性隧道结MTJ结构的方法及设备，所述磁性隧道结MTJ结构可用于MRAM应用，特别是用于自旋轨道矩磁性随机存取存储器SOTMRAM应用。在一个实施方式中，磁性隧道结MTJ装置结构包括：设置于基板上的磁性隧道结MTJ柱体结构，以及围绕MTJ柱体结构的间隙。在又另一实施方式中，磁性隧道结MTJ装置结构包括：围绕经图案化的参考层及隧穿阻挡层的间隔层，所述隧穿阻挡层设置于经图案化的自由层上，以及围绕经图案化的自由层的间隙。
主权项：1.一种磁性隧道结MTJ装置结构，包含：磁性隧道结MTJ柱体结构，设置于基板上；和间隙，围绕所述MTJ柱体结构，其中自由层形成在所述基板上，并且所述间隙将所述磁性隧道结MTJ柱体结构中的自由层与围绕所述间隙的自由层隔开。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 用于MRAM应用的结构的形成方法
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