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申请/专利权人：日本碍子株式会社
摘要：本发明提供一种α－Ga2O3系半导体膜，其能够明显地提高器件的成品率。该α－Ga2O3系半导体膜是：以具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构的结晶为主相的圆形的半导体膜。该半导体膜的表面的中心点X以及4个外周点A、B、C及D各自处的偏角的最大值θmax和最小值θmin满足θmax－θmin≤0.30°的关系。偏角定义为：沿着半导体膜的大致法线方向取向的结晶轴相对于半导体膜的膜面的法线的倾斜角度。外周点A、B、C及D以如下方式进行确定：i将外周点A及外周点C连结的直线和将外周点B及外周点D连结的直线在中心点X处呈直角相交；且ii外周点A、B、C及D距半导体膜的外缘的各最短距离为半导体膜的半径的15。
主权项：1.一种半导体膜，其是以具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构的结晶为主相的圆形的半导体膜，所述半导体膜的特征在于，所述半导体膜的表面的中心点X以及4个外周点A、B、C及D各自处的偏角的最大值θmax和最小值θmin满足θmax－θmin≤0.30°的关系，所述偏角定义为：沿着所述半导体膜的法线方向取向的结晶轴相对于所述半导体膜的膜面的法线的倾斜角度，所述外周点A、B、C及D以如下方式进行确定：i）将所述外周点A及所述外周点C连结的直线和将所述外周点B及所述外周点D连结的直线在所述中心点X处呈直角相交；且ii）所述外周点A、B、C及D距所述半导体膜的外缘的各最短距离为所述半导体膜的半径的1／5。
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