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申请/专利权人：上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明提供一种单晶生长方法及晶圆，所述单晶生长方法包括：提供熔体和经过掺杂的籽晶；获取所述经过掺杂的籽晶的初始长度l0；将所述经过掺杂的籽晶浸入所述熔体中，获取所述经过掺杂的籽晶露出所述熔体表面的长度l1，其中l0＞l1；利用所述熔体和所述经过掺杂的籽晶采用直拉法生长单晶。本发明使用经过掺杂的籽晶，能够精准控制单晶的PN型及电阻率，避免了额外引入掺杂剂带来的用量难以控制的问题，保持了单晶的重复性。
主权项：1.一种单晶生长方法，其特征在于，包括：提供多晶硅熔体和经过掺杂的籽晶；所述多晶硅熔体由含有的电活性杂质的多晶硅原料熔化得到；获取所述经过掺杂的籽晶的初始长度l0；将所述经过掺杂的籽晶浸入所述多晶硅熔体中，获取所述经过掺杂的籽晶露出所述多晶硅熔体表面的长度l1，其中l0l1；其中，所述经过掺杂的籽晶浸入所述多晶硅熔体的长度；所述经过掺杂的籽晶浸入所述多晶硅熔体的部分发生熔化；利用所述多晶硅熔体和所述经过掺杂的籽晶采用直拉法生长单晶硅棒；其中，为获得掺杂剂浓度为cs的所述单晶硅棒，所述经过掺杂的籽晶需要浸入所述多晶硅熔体表面的预设长度lseed通过以下等式计算：；其中，cseed表示所述经过掺杂的籽晶的掺杂剂浓度，Aseed表示所述籽晶的横截面积，cpoly表示多晶原料的电活性杂质的浓度，Vpoly表示多晶原料的体积，Vmelt表示多晶硅熔体的体积，K表示关于掺杂剂的分凝系数；经过掺杂的籽晶浸入所述多晶硅熔体的长度；所述单晶硅棒的电阻率大于1000Ω·cm。
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权利要求：
百度查询： 上海新昇半导体科技有限公司 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种单晶生长方法及晶圆
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