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申请/专利权人：西安电子科技大学

摘要：本发明涉及一种用于差分压控延时单元的电压偏置电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻和第二电阻；第一PMOS管用于产生镜像电流并产生第一差分输出电压信号；第二PMOS管复制第一PMOS管的源极电流，并将其作为第二NMOS管的偏置电流；第一NMOS管作为驱动管为第一PMOS管提供偏置电流；第二NMOS管根据第二PMOS管提供的偏置电流产生第二差分输出电压信号。本发明的电压偏置电路，具备单端输入差分输出的特性，应用于基于差分压控延时单元的压控环形振荡器时，能够很好的改善其输入和输出电压‑频率特性；具体通过在现有的电压偏置电路中加入两个电阻，用于改善MOS管的输入和输出电压的非线性特性。

主权项：1.一种用于差分压控延时单元的电压偏置电路，其特征在于，包括，第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第一电阻R1和第二电阻R2；其中，所述第一PMOS管PM1用于产生镜像电流并产生第一差分输出电压信号；所述第二PMOS管PM2用于复制所述第一PMOS管PM1的源极电流，并将其作为所述第二NMOS管NM2的偏置电流；所述第一NMOS管NM1作为驱动管，用于为所述第一PMOS管PM1提供偏置电流；所述第二NMOS管NM2用于根据所述第二PMOS管PM2提供的偏置电流，产生第二差分输出电压信号；所述第一电阻R1连接在所述第一PMOS管PM1的漏极与所述第一NMOS管NM1的漏极之间，用于改善所述第一PMOS管PM1的输入和输出的电流电压特性，以提高所述电压偏置电路输出的第一差分输出电压信号的摆幅；所述第二电阻R2连接在所述第二PMOS管PM2的漏极与所述第二NMOS管NM2的漏极之间，用于改善所述第二NMOS管NM1的输入和输出的电流电压特性，以提高所述电压偏置电路输出的第二差分输出电压信号的摆幅；所述第一PMOS管PM1的源极连接电源电压端VDD，所述第一PMOS管PM1的漏极连接所述第一电阻R1的第一端，所述第一PMOS管PM1的栅极分别连接所述第二PMOS管PM2的栅极和所述第一电阻R1的第二端；所述第一PMOS管PM1的栅极作为所述电压偏置电路第一差分输出端Vcp，输出所述第一差分输出电压信号；所述第二PMOS管PM2的源极连接电源电压端VDD，所述第二PMOS管PM2的漏极分别连接所述第二电阻R2的第一端和所述第二NMOS管NM2的栅极；所述第一NMOS管NM1源极连接接地端GND，所述第一NMOS管NM1的漏极连接所述第一电阻R1的第二端，所述第一NMOS管NM1的栅极作为外部输入电压信号端Vctrl，输入电压信号；所述第二NMOS管NM2的源极连接接地端GND，所述第二NMOS管NM2的漏极连接所述第二电阻R2的第二端，所述第二NMOS管NM2的栅极作为所述电压偏置电路的第二差分输出端Vcn，输出所述第二差分输出电压信号。

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