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申请/专利权人：南京邮电大学
摘要：本发明公开了氧化镓氮化镓异质结双紫外波段探测器及其制备方法，本发明属于第三代半导体紫外光电探测器技术领域。本发明的探测器包括硅衬底、氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层以及p型氮化镓层；n型氧化镓层和p型金属电极层设置于p型氮化镓层的上端、n型金属电极层设置于n型氧化镓层上端；探测器正反面均为沟槽，使得p型氮化镓层正反面均裸漏；对比常规光电探测器，本发明采用硅基氧化镓异质结探测器展现了其在无驱动下的深紫外、近紫外波段卓越工作潜力，本发明磁控溅射法具有制备工艺稳定、易于集成等特点，此外设计后的顶层异质结构及背后衬底去除有效降低了界面暗电流大小，提高了器件的探测面积、响应速度、光电性能。
主权项：1.氧化镓氮化镓异质结双紫外波段探测器，由下至上依次包括：硅衬底1、氮化镓缓冲层2、非掺杂氮化镓层3以及p型氮化镓层4；n型氧化镓层5和p型金属电极层6设置于p型氮化镓层4的上端、n型金属电极层7设置于n型氧化镓层5上端；所述探测器正反面均为沟槽结构，使得p型氮化镓层4正反面均裸露。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 氧化镓/氮化镓异质结双紫外波段探测器及其制备方法
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