龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所;中国第一汽车股份有限公司
摘要：本发明公开了一种碳化硅沟槽形成和台面光刻胶自对准覆盖方法，包括以下步骤：在外延层表面沉积第一介质层；涂覆光刻胶并通过光刻在第一介质层上形成用于沟槽刻蚀的图形；刻蚀第一介质层和外延层，形成沟槽，并去除光刻胶；在所得物表面淀积第二介质层，刻蚀第二介质层使第一介质层顶端完全暴露；完全去除第一介质层，并涂覆碳化用光刻胶；通过泛曝光与显影去除部分碳化用光刻胶，使第二介质层的上表面露出；完全去除第二介质层。本发明通过利用自对准方式，可实现台面区域的光刻胶完全覆盖，同时避免沟槽内光刻胶残留，便于后续碳化后仅针对沟槽内部的高温处理；与主流碳化硅制程工艺兼容，单步工艺窗口大，可实现良好的控制，便于大规模生产。
主权项：1.一种碳化硅沟槽形成和台面光刻胶自对准覆盖方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在外延层（1）表面沉积第一介质层（2）；步骤二，涂覆光刻胶并通过光刻在第一介质层（2）上形成用于沟槽（4）刻蚀的图形（3）；步骤三，刻蚀所述第一介质层（2）和外延层（1），形成沟槽（4），并去除光刻胶；步骤四，在步骤三所得物表面淀积第二介质层（5），刻蚀第二介质层（5）使第一介质层（2）顶端完全暴露，其中刻蚀后的第二介质层（5）的顶面高于外延层（1）的顶面；步骤五，完全去除所述第一介质层（2），并涂覆碳化用光刻胶（6）；步骤六，通过泛曝光与显影去除部分碳化用光刻胶（6），使第二介质层（2）的上表面露出；步骤七，完全去除第二介质层（2）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 中国第一汽车股份有限公司 一种碳化硅沟槽形成和台面光刻胶自对准覆盖方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号