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申请/专利权人:株式会社日立高新技术
摘要:对含有硼的硅膜、多晶硅膜进行等离子体蚀刻的等离子体处理方法使用卤素气体、含有氟的气体、以及三氯化硼气体的混合气体,对含有所述硼的多晶硅膜进行蚀刻。由此,能够在对含有硼的多晶硅膜进行等离子体蚀刻时,实现蚀刻速率的提高,抑制蚀刻不良。
主权项:1.一种等离子体处理方法,对含有硼的硅膜进行等离子体蚀刻,其特征在于,使用卤素气体、含有氟的气体、以及三氯化硼气体的混合气体,对含有所述硼的硅膜进行蚀刻,通过对含有所述硼的硅膜进行蚀刻,形成硬掩模,所述卤素气体是氯气、溴化氢气体、氯化氢气体、以及碘化氢气体中的至少一种气体。
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