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申请/专利权人：超威半导体公司
摘要：本发明公开了一种静态随机存取存储器SRAM，该SRAM包括形成在混合标准单元架构中的第一行快单元中的快SRAM位单元和快多路复用器电路。慢SRAM位单元和慢多路复用器电路形成在第二行慢单元中。该慢多路复用器电路为该快SRAM位单元提供列输出，并且该快多路复用器电路为该慢SRAM位单元提供列输出。因此，一个SRAM列具有快位单元和慢多路复用器级，而相邻SRAM列具有慢位单元和快多路复用器级，从而在读取该SRAM时提供改进的性能平衡。
主权项：1.一种静态随机存取存储器SRAM，包括：第一多个位单元和第一多个多路复用器电路；第二多个位单元和第二多个多路复用器电路；其中所述第一多个位单元耦合到所述第二多个多路复用器电路中的第一多路复用器电路；其中所述第二多个位单元耦合到所述第一多个多路复用器电路中的第二多路复用器电路；并且其中所述第一多个位单元和所述第一多个多路复用器电路具有第一性能水平，并且所述第二多个位单元和所述第二多个多路复用器电路具有低于所述第一性能水平的第二性能水平。
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