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双向TVS器件及其制备方法、电子设备 

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申请/专利权人:上海芯导电子科技股份有限公司

摘要:本发明提供了一种双向TVS器件及其制备方法、电子设备,其中的隔离槽自外延层的表面延伸至所述衬底内,所述有源区形成于所述外延层的表面;所述隔离槽内填充有槽内多晶硅;其中,每个有源区分布于对应的两个隔离槽之间,且不同有源区分布于不同的两个隔离槽之间;两个隔离槽之间的外延层部分与所连接的一个有源区间形成第一PN结,两个隔离槽之间的外延层部分与所述衬底间形成第二PN结。

主权项:1.一种双向TVS器件,其特征在于,包括:衬底、外延层、多个有源区、多个隔离槽、主氧化层、图形化的第一金属层、第二金属层与钝化层;所述外延层设于所述衬底的第一侧,所述第二金属层设于所述衬底的第二侧;所述隔离槽自所述外延层的目标侧表面延伸至所述衬底内,所述有源区形成于所述外延层的目标侧表面;所述目标侧指所述外延层的相背于所述衬底的一侧;所述隔离槽内填充有槽内多晶硅;其中,每个有源区分布于对应的两个隔离槽之间,且不同有源区分布于不同的两个隔离槽之间;所述对应的两个隔离槽之间的外延层部分与所连接的一个有源区间形成第一PN结,所述对应的两个隔离槽之间的外延层部分与所述衬底间形成第二PN结;所述主氧化层设于所述外延层的目标侧,所述主氧化层覆盖各隔离槽的槽口并连接所述槽内多晶硅,所述主氧化层设有多个接触孔,每个接触孔连接对应的一个有源区,所述图形化的第一金属层设于所述主氧化层,且所述第一金属层穿过所述接触孔与对应的有源区连接;所述钝化层设于所述主氧化层与所述第一金属层的相背于所述外延层的一侧;所述有源区为N+有源区,所述衬底为N型衬底,所述外延层为P型外延层;所述主氧化层是TEOS层。

全文数据:

权利要求:

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