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申请/专利权人：上海征世科技股份有限公司

摘要：本发明公开了附带温度调控机构的mpcvd金刚石生长设备，涉及金刚石生长技术领域，包括主体、承载台、水冷系统、微波系统、加热系统和供气系统，所述主体内部下方设置有真空泵，所述主体内部上方设置有混合管，所述混合管内部设置有活塞板，所述活塞板的内部设置有气泵，所述混合管的下方设置有承载台，所述承载台的下方设置有水冷系统，承载台的外侧设置有限压环，承载台位于限压环的内部上方。本发明在工作期间，混合气体在混合管内部经过时，混合气体内各种气体之间相互混合，同时对主体内部产生的石墨进行及时清理，配合气流内部的氢离子，对石墨粉末进行清理，以保证气流内部的碳原子浓度。

主权项：1.附带温度调控机构的mpcvd金刚石生长设备，包括主体1、承载台4、水冷系统、微波系统、加热系统和供气系统，所述主体1内部下方设置有真空泵，其特征在于：所述主体1内部上方设置有混合管2，所述混合管2内部设置有活塞板3，所述活塞板3的内部设置有气泵，所述混合管2的下方设置有承载台4，所述承载台4的下方设置有水冷系统，承载台4的外侧设置有限压环5，承载台4位于限压环5的内部上方；所述混合管2与活塞板3之间滑动连接，混合管2的外侧设置有两组管道，混合管2通过两组管道分别与供气系统和限压环5相连通；所述主体1的上方设置有进气管，所述进气管与供气系统相连通，所述活塞板3的上方设置有连接管301，所述连接管301和进气管之间滑动连接，连接管301和进气管之间通过弹簧连接，所述活塞板3内部设置有两组通道；所述混合管2内部由上至下设置有多个分流环201，所述分流环201与混合管2之间转动连接，所述混合管2内部开设有多个V型槽202，所述分流环201设置于V型槽202内，所述混合管2内有混合气体经过，混合气体在分流环201上方开始分流；所述分流环201的外侧开设有多个导流槽203，所述导流槽203为倾斜设置，分流环201的外侧设置有若干个导向片204，所述导向片204的外壁尺寸与V型槽202的内壁尺寸相匹配；通过混合管2的设置，混合管2内部设置有若干个分流环201，配合分流环201表面结构，对经过分流环201表面的气流进行扰乱，同时分流环201对气流附带分流效果，配合导流槽203，实现混合气体内各种气体之间相互混合，进而提高混合气体在电离后内部各个区域碳原子浓度差距减小。

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