龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种倒装发光二极管芯片及制备方法，该方法包括：对外延层及Mesa台阶进行刻蚀处理并刻蚀至衬底，以刻蚀得到切割道，切割道处外延层的侧面与衬底的顶面之间所形成锐角夹角为40°‑80°；在外延层上生长电流阻挡层；在外延层上生长电流扩展层并将电流阻挡层覆盖；在Mesa台阶与电流扩展层上分别制备N型导电金属与P型导电金属；在N型导电金属与P型导电金属以及电流扩展层上制备布拉格反射层，对布拉格反射层进行刻蚀以得到N型导电通孔与P型导电通孔；在布拉格反射层之上制备与N型导电金属对应的N型键合金属、与P型导电金属对应的P型键合金属。本发明能够在不减小芯片发光区面积、不增加芯片尺寸的情况下，增大切割道处衬底与外延层的横向距离。
主权项：1.一种倒装发光二极管芯片的制备方法，用于制备所述倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底之上生长一外延层，对所述外延层进行刻蚀以暴露出Mesa台阶；对所述外延层及Mesa台阶进行刻蚀处理并刻蚀至所述衬底，以刻蚀得到切割道，其中，所述切割道处所述外延层的侧面与所述衬底的顶面之间所形成锐角夹角为40°-80°；在所述外延层上生长一电流阻挡层；在所述外延层上生长一电流扩展层并将所述电流阻挡层覆盖；在所述Mesa台阶与所述电流扩展层上分别制备N型导电金属与P型导电金属；在所述N型导电金属与所述P型导电金属以及所述电流扩展层上制备布拉格反射层，并对所述布拉格反射层进行刻蚀以得到N型导电通孔与P型导电通孔；在所述布拉格反射层之上制备与所述N型导电金属对应的N型键合金属、与所述P型导电金属对应的P型键合金属，以使所述N型键合金属通过所述N型导电通孔与所述N型导电金属电性连接、所述P型键合金属通过所述P型导电通孔与所述P型导电金属电性连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种倒装发光二极管芯片及制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号