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申请/专利权人：海南大学
摘要：本发明公开了基于硒吩衍生物π桥的非富勒烯受体材料、其制备方法和应用。该非富勒烯受体材料具有A‑π‑D‑π‑A型共轭分子主体结构，包括硒吩衍生物π桥、供电子性质的芳环核心D和吸电子性质的末端单元A三类分子砌块。本发明通过利用三类分子砌块的多选择性和组合，能够灵活地构筑有机光伏非富勒烯受体分子，硒吩衍生物π桥的引入有利于增大受体分子的共轭程度，拓展材料的光吸收范围至近红外区域，并增强受体的分子间堆积，提高电荷迁移率，有希望开发出新型高效非富勒烯受体材料。
主权项：1.基于硒吩衍生物π桥的非富勒烯受体材料，具有式Ia所示的结构： 式Ia其中，π桥为硒吩衍生物，D为稠环芳香单元，A为吸电子单元，硒吩衍生物π桥具有式Ib所示的结构： 式IbX1独立地选自O、S或Se；R1独立地选自C1～C20的烷基；Ar为6-14元芳基或5-12元杂芳基，杂原子选自N、O和S；D具有式Ic所示的结构： 式ⅠcX2、X3、X4独立地选自O、S或Se；R2和R3独立地选自C6～C20的烷基；R4和R5独立地选自C2～C20的烷基；A具有式Id所示的结构： 式ⅠdX5独立地选自H、F、Cl、Br、CH3、OCH3或CN；R6独立地选自C1～C20的烷基。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 海南大学 基于硒吩衍生物π桥的非富勒烯受体材料、其制备方法和应用
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