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申请/专利权人：重庆大学
摘要：本发明提供一种用于芯片封装电沉积铜填充工艺的电解液。其电沉积铜电解液含有加速剂、抑制剂、整平剂等添加剂。本发明提供的添加剂同时具有磺酸基、双硫键以及苯并噻唑结构，以双硫健为中心以对称结构引入苯并噻唑结构，并在分子链两端引入磺酸基，在确保良好的水溶性的同时，加速剂中N+、S原子、噻唑环作为活性位点使所述加速剂吸附在铜表面，加速剂分子两端的磺酸基更好的协同氯离子加速铜离子的沉积。本加速剂不含钠离子，避免后续封测工艺对电信号传输的影响，苯杂环结构设计显著降低了镀层分子间的内应力作用。本发明提供的加速剂配置的电镀液，能够满足深宽比超过1的通孔充填，符合先进封装的要求，具有广阔的应用前景。
主权项：1.一种用于芯片封装电沉积铜填充工艺的电解液，其特征在于：电沉积铜电解液含加速剂、抑制剂、整平剂；所述加速剂的化学结构式如下： ；所述抑制剂为聚乙二醇；所述整平剂为硫胺、硫脲中的一种；所述的加速剂不含钠离子，用量为5~50ppm；电沉积铜电解液含有CuSO4和H2SO4，以及氯离子；CuSO4的含量为180～240gL、H2SO4的含量为45～80gL，氯离子的含量为50～70ppm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆大学 一种用于芯片封装电沉积铜填充工艺的电解液
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