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申请/专利权人：深圳大学
摘要：本发明提出了一种基于单根碳纳米管的二极管器件及其制作方法，二极管器件包括肖特基二极管和p‑n结二极管两种类型。肖特基二极管由金属端和半导体端构成，通过轴向剪裁形成，金属端无带隙，半导体端具有大于0的带隙，两者接触形成肖特基结。p‑n结二极管则通过在碳纳米管一端掺杂硼形成p型区，另一端剪裁引入悬垂电子形成n型区，接触处形成p‑n结。本发明的二极管器件及其制作方法解决了在单根纳米管上形成不同导电性质区域的难题，突破了现有半导体工艺的尺寸限制，实现了直径小于几纳米，甚至小于一纳米的纳米尺度二极管器件，为微型化电子器件提供了新方案。
主权项：1.一种基于单根碳纳米管结构的二极管器件，其特征在于，包括：单根碳纳米管；金属端，由所述碳纳米管的一端沿轴向部分剪裁形成，具有金属性质，且其能带结构中不存在带隙；半导体端，由所述碳纳米管的另一端形成，保持完整手性，具有半导体性质，且其能带结构中具有大于0的带隙；肖特基结，形成于所述金属端与所述半导体端之间的接触界面，其界面处形成耗尽区，且在正向偏置条件下，允许电流从金属端流向半导体端，而在反向偏置条件下，由于耗尽区形成的势垒，阻止电流通过；电极，组装在所述金属端和所述半导体端上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳大学 基于单根碳纳米管结构的二极管器件及其制作方法
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