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申请/专利权人：深圳大学
摘要：一种基于单根双壁碳纳米管结构的三极管器件及其制作方法，包括：单根双壁碳纳米管；双壁碳纳米管的内层碳纳米管通过硼掺杂形成源极和漏极，具有P型材料的性质，源极和漏极之间形成场效应管沟道；双壁碳纳米管的外层碳纳米管通过轴向剪裁形成栅极，具有N型材料的性质；P‑N结，形成在P型材料与N型材料之间。该三极管器件实现纳米尺度高集成度，解决了传统单壁碳纳米管场效应管的界面和接触电阻问题，避免了材料耦合的挑战，缩小了器件尺寸，突破了现有工艺的纳米尺寸限制。器件采用单一材料，增强了均一性和可控性，提升了电流驱动和电学性能，展现了低功耗、快速响应的特性，并适用于新型光电和柔性电子器件。
主权项：1.一种基于单根双壁碳纳米管结构的三极管器件，其特征在于，包括：单根双壁碳纳米管；所述双壁碳纳米管的内层碳纳米管通过硼掺杂形成源极和漏极，具有P型材料的性质，所述源极和所述漏极之间形成场效应管沟道；所述双壁碳纳米管的外层碳纳米管通过轴向剪裁形成栅极，具有N型材料的性质；所述外层碳纳米管由于剪裁引入额外悬垂电子，在电场中能带下移，导致材料为多电荷载流子，表现为电荷多子半导体性质，在电场中性质为N型导电材料；P-N结，形成在所述P型材料与所述N型材料之间，在所述P-N结处形成耗尽区；在正向偏置条件下，允许电流从所述源极流向所述漏极，在反向偏置条件下，阻止电流通过；电极，组装在所述源极、所述漏极和所述栅极上；所述双壁碳纳米管具有手性（n,m），m=0或者n-m≠3q，其中n和m为整数，q为整数，且nm。
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