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申请/专利权人：成都高投芯未半导体有限公司

摘要：本发明提出一种晶圆坐标图谱生成方法、装置、存储介质及电子设备，包括：基于晶圆中的目标参考物生成初阶坐标图谱，其中，初阶坐标图谱包括晶圆中每一个晶粒的坐标信息；确定晶圆中的不合格晶粒；在初阶坐标图谱中给每一个不合格晶粒添加电子墨水标签，以生成晶圆坐标图谱。在后续处理过程中，都可以基于目标参考物进行关联，可以基于该晶圆坐标图谱获知晶圆中每一个晶粒的坐标信息，使得后端设备获取到的晶粒坐标信息与探针台对应的晶粒坐标信息一一对应，解决晶圆坐标图谱的偏移问题。并且晶圆坐标图谱中不合格晶粒还携带有电子墨水标签，相对于传统的晶圆打点方式，采用电子墨水标签进行替代，可以避免带来外部脏污，对晶圆进行保护。

主权项：1.一种晶圆坐标图谱生成方法，其特征在于，所述方法包括：基于晶圆中的目标参考物生成初阶坐标图谱，其中，所述初阶坐标图谱包括所述晶圆中每一个晶粒的坐标信息；确定所述晶圆中的不合格晶粒；在所述初阶坐标图谱中给每一个不合格晶粒添加电子墨水标签，以生成晶圆坐标图谱，其中，电子墨水标签为特征符号或标识；所述基于晶圆中的目标参考物生成初阶坐标图谱的步骤，包括：基于所述目标参考物确定所述晶圆中的参考晶粒，其中，所述参考晶粒的坐标信息为预设坐标信息；基于所述参考晶粒和预设的坐标延伸规则确定所述晶圆中每一个晶粒的坐标信息，以生成所述初阶坐标图谱；所述基于所述目标参考物确定所述晶圆中的参考晶粒的步骤，包括：在所述晶圆中设置有标准缺角的情况下，将所述标准缺角作为所述目标参考物；确定所述标准缺角是否指向晶粒；若所述标准缺角指向晶粒，则将所述标准缺角指向的第一个晶粒确定为所述参考晶粒；若所述标准缺角指向所述晶圆中的第一划片道，则将所述第一划片道一侧的第一个晶粒确定为所述参考晶粒；所述基于所述目标参考物确定所述晶圆中的参考晶粒的步骤，还包括：在所述晶圆中设置有打标框，且未设置标准缺角的情况下，将所述打标框作为所述目标参考物；确定所述打标框的目标角是否指向晶粒；若所述打标框的目标角指向晶粒，则将所述打标框的目标角指向的第一个晶粒确定为所述参考晶粒；若所述打标框的目标角指向所述晶圆中的第二划片道，则将所述第二划片道一侧的第一个晶粒确定为所述参考晶粒。

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